一種RC-IGBT芯片及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010031299.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111211168A 公開（公告）日 2020-05-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN111211168A 申請(qǐng)公布日 2020-05-29
分類號(hào) H01L29/739;H01L21/265;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陽平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海擎茂微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 溫州知遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 上海擎茂微電子科技有限公司
地址 201100 上海市閔行區(qū)紫星路588號(hào)2幢1169室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種RC?IGBT芯片，包括IGBT區(qū)及FRD區(qū)，IGBT區(qū)及FRD區(qū)內(nèi)均包括P型基區(qū)及接觸區(qū)，而IGBT區(qū)內(nèi)P型基區(qū)的厚度及摻雜濃度均大于FRD區(qū)內(nèi)P型基區(qū)的厚度及摻雜濃度，從而提高了其反向恢復(fù)特性。同時(shí)IGBT內(nèi)接觸區(qū)摻雜濃度大于FRD區(qū)內(nèi)摻雜濃度，這有利于減少二極管的反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)損耗，增強(qiáng)器件的魯棒性。此外，本發(fā)明還涉及該RC?IGBT芯片的制造方法。