一種導通均勻性高的半導體功率器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010473658.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111640717A 公開（公告）日 2020-09-08
申請公布號 CN111640717A 申請公布日 2020-09-08
分類號 H01L23/482(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 王海軍;陽平 申請（專利權）人 上海擎茂微電子科技有限公司
代理機構 溫州知遠專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 上海擎茂微電子科技有限公司
地址 201100上海市閔行區(qū)東川路555號乙樓一層1001室（集中登記地）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種導通均勻性高的半導體功率器件，包括由多個IGBT元胞形成的芯片本體及芯片本體表面的柵極總線，柵極總線包括設置于芯片本體外圍的環(huán)狀柵極總線、位于環(huán)狀柵極總線內且兩端分別與環(huán)狀柵極總線連接的至少一條條狀柵極總線，多個條狀柵極總線中至少一個條狀柵極總線上設置有至少兩個柵極焊盤，環(huán)狀柵極總線的表面設有環(huán)狀的且由金屬材料制成的柵極流道，柵極總線由多晶硅材料制成，柵極總線與IGBT元胞內的多晶硅柵極連接。本發(fā)明的導通均勻性高的半導體功率器件，通過雙柵極焊盤和柵極總線的設置使得各元胞內柵極導通更均勻。??