一種用于制備半導(dǎo)體器件的晶圓及晶圓的背面減薄方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010992591.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111987146A | 公開（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申請公布號 | CN111987146A | 申請公布日 | 2020-11-24 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王海軍;陽平 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海擎茂微電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 溫州知遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海擎茂微電子科技有限公司 |
| 地址 | 201100上海市閔行區(qū)東川路555號乙樓一層1001室（集中登記地） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種用于制備半導(dǎo)體器件的晶圓，包括晶圓本體，晶圓本體的背面通過背面減薄形成凹槽，晶圓本體繞所述凹槽形成位于晶圓本體邊緣的支撐環(huán)，支撐環(huán)的側(cè)面即凹槽的內(nèi)側(cè)面為斜面。本發(fā)明的用于制備半導(dǎo)體器件的晶圓在背面N型曝光時(shí)光刻膠不易殘留，從而避免退火時(shí)光刻膠對設(shè)備的影響。?? |
