一種改善擊穿特性的平面柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921552313.2 申請日 -
公開（公告）號 CN210607265U 公開（公告）日 2020-05-22
申請公布號 CN210607265U 申請公布日 2020-05-22
分類號 H01L29/739;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陽平 申請（專利權(quán)）人 上海擎茂微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 溫州知遠專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 上海擎茂微電子科技有限公司
地址 201100 上海市閔行區(qū)紫星路588號2幢1169室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種改善擊穿特性的平面柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底、柵氧化層、多晶硅柵極、浮空柵極場板、發(fā)射極電極、FOX區(qū)、JFET區(qū)、二氧化硅絕緣介質(zhì)層、N+發(fā)射極區(qū)、P型基區(qū)、P+深阱區(qū)、P型集電極區(qū)以及集電極，浮空柵極場板與多晶硅柵極相連，并在器件表面跨過柵極的上方延伸至JFET區(qū)上方。本實用新型通過設(shè)置半導(dǎo)體襯底、柵氧化層、多晶硅柵極、浮空柵極場板、發(fā)射極電極、FOX區(qū)、JFET區(qū)、二氧化硅絕緣介質(zhì)層、N+發(fā)射極區(qū)、P型基區(qū)、P型集電極區(qū)和集電極的相互配合，達到了擊穿特性好的優(yōu)點，解決了現(xiàn)有的平面柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)擊穿特性差的問題，方便了人們使用，提高了平面柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)的實用性。