一種魯棒性高的半導(dǎo)體裝置及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110399546.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113130628A 公開（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113130628A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王海軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海擎茂微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 溫州知遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 湯時(shí)達(dá)
地址 201100上海市閔行區(qū)東川路555號(hào)乙樓一層1001室（集中登記地）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種魯棒性高的半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體襯底、設(shè)于半導(dǎo)體襯底背面的集電極及集電極金屬層、設(shè)于半導(dǎo)體襯底表面的柵氧化層及柵氧化層上方的多個(gè)柵極多晶硅、位于柵極多晶硅上方的絕緣介質(zhì)層及金屬互聯(lián)層，其特征在于：半導(dǎo)體襯底的表面還設(shè)有多個(gè)有效源區(qū)及縱向載流子調(diào)整區(qū)，有效源區(qū)或縱向載流子調(diào)整區(qū)位于相鄰柵極多晶硅之間，有效源區(qū)及縱向載流子調(diào)整區(qū)均包括阱區(qū)、阱區(qū)上方的第一載流子摻雜區(qū)、位于第一載流子摻雜區(qū)上方的第二載流子摻雜區(qū)，有效源區(qū)與金屬互聯(lián)層電性連接，縱向載流子調(diào)整區(qū)與金屬互聯(lián)層電性隔絕。本發(fā)明的魯棒性高的半導(dǎo)體裝置尺寸較小且成本較低。此外，本發(fā)明還提供了制造該半導(dǎo)體裝置的方法。