一種防止表面金屬層脫焊的半導(dǎo)體裝置及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011415145.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112542435A | 公開（公告）日 | 2021-03-23 |
| 申請公布號 | CN112542435A | 申請公布日 | 2021-03-23 |
| 分類號 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王海軍;陽平 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海擎茂微電子科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 溫州知遠專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 湯時達 |
| 地址 | 201100上海市閔行區(qū)東川路555號乙樓一層1001室（集中登記地） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種防止表面金屬層脫焊的半導(dǎo)體裝置，包括表面具有絕緣介質(zhì)層的半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體器件的表面設(shè)有接觸孔，接觸孔內(nèi)側(cè)面上設(shè)置有一層由金屬鈦材料制成的接觸層，接觸層的表面設(shè)有一層由氮化鈦材料制成的阻擋層，接觸孔內(nèi)側(cè)面還設(shè)置有一層由金屬鎢材料制成的側(cè)壁保護層，接觸孔內(nèi)及半導(dǎo)體器件的表面還設(shè)置有金屬互聯(lián)層，金屬互聯(lián)層的上方設(shè)有第一鈍化層和第二鈍化層。本發(fā)明的防止表面金屬層脫焊的半導(dǎo)體裝置，其鍵合后表面金屬層不易脫落、剝離，可靠性高。此外本發(fā)明還涉及該半導(dǎo)體裝置的制造方法。?? |
