一種CGO/DWSB雙電解質(zhì)層的固體氧化物電解池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111195626.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113764710A 公開（公告）日 2021-12-07
申請公布號 CN113764710A 申請公布日 2021-12-07
分類號 H01M8/1246（2016.01）I;H01M8/126（2016.01）I;H01M8/1226（2016.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張夢茹;王恩華;劉亞迪;胡浩然 申請（專利權(quán)）人 北京思偉特新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京共騰律師事務(wù)所 代理人 姚星
地址 100071北京市海淀區(qū)西小口路66號中關(guān)村東升科技園·北領(lǐng)地C-2樓3層30
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明采用CGO/DWSB電解質(zhì)基的金屬支撐型固體氧化物電解池，具體結(jié)構(gòu)包括依次堆疊的金屬支撐層、陰極層、CGO電解質(zhì)層、DWSB電解質(zhì)層和陽極層。該CGO/DWSB電解質(zhì)基的金屬支撐型固體氧化物電解池可以實(shí)現(xiàn)固體氧化物電解池在中低溫下運(yùn)行的目的，相比于CGO/YSZ電解質(zhì)基的金屬支撐型固體氧化物電解池，降低了電解池的輸入電壓，節(jié)省了運(yùn)行成本，有助于實(shí)現(xiàn)SOEC的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。