混合型CMOS圖像傳感器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110434532.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102522414B 公開（公告）日 2014-07-30
申請公布號 CN102522414B 申請公布日 2014-07-30
分類號 H01L27/146(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 苗田樂;張俊超;陳杰;汪輝;方娜;田犁 申請（專利權(quán)）人 重慶國科應(yīng)用技術(shù)研究所有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中國科學院上海高等研究院;重慶國科應(yīng)用技術(shù)研究所有限公司
地址 201210 上海市浦東新區(qū)?？坡?9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種混合型CMOS圖像傳感器及其制作方法，包括：圖像傳感器，形成于支撐襯底表面；所述支撐襯底的材料是半導體材料；所述圖像傳感器包括驅(qū)動電路區(qū)域和光學傳感區(qū)域；其特征在于：驅(qū)動電路區(qū)域的支撐襯底中具有頂層半導體層，所述頂層半導體層通過絕緣埋層與支撐襯底隔離；驅(qū)動電路區(qū)域中的晶體管形成于所述頂層半導體層中；光學傳感區(qū)域中的支撐襯底中具有頂層光吸收層，所述頂層光吸收層通過絕緣埋層與支撐襯底隔離；光學傳感區(qū)域中的光學傳感器形成于所述頂層光吸收層中。本發(fā)明可以大大提高光的吸收效率，并防止由于宇宙射線照射產(chǎn)生的大量的電子空穴對CMOS圖像傳感器的感光區(qū)域以及驅(qū)動電路造成的器件失效或者質(zhì)量下降等影響。