一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽能電池
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201320368509.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN203351632U | 公開(公告)日 | 2013-12-18 |
申請公布號 | CN203351632U | 申請公布日 | 2013-12-18 |
分類號 | H01L31/077(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳五奎;劉強;李粉莉;盛國浩 | 申請(專利權(quán))人 | 喀什瑞城新能源科技股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳中一專利商標事務所 | 代理人 | 深圳市拓日新能源科技股份有限公司 |
地址 | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)僑香路6060香年廣場A棟8樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽能電池;包括由上到下依次層疊的受光面電極、受光面透明導電層、P型非晶硅層、受光面本征非晶硅層、N型晶體硅層、背光面本征非晶硅層、N型重摻雜非晶硅層、背光面透明導電層、背光面電極,所述P型非晶硅層、所述受光面本征非晶硅層與所述N型晶體硅層形成太陽能電池器件的正面異質(zhì)PN結(jié),所述N型晶體硅層、所述背光面本征非晶硅層與所述N型重摻雜非晶硅層形成太陽能電池器件的背面電場層;所述薄膜硅、晶體硅異質(zhì)結(jié)雙面太陽能電池具有光電轉(zhuǎn)換效率高的優(yōu)點,由于本實用新型具有上述的特點和優(yōu)點,為此可以應用到太陽能電池等產(chǎn)品中。 |
