提高硅襯底上藍(lán)綠光LED出光效率的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110209552.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102270711B 公開(kāi)（公告）日 2013-03-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN102270711B 申請(qǐng)公布日 2013-03-20
分類(lèi)號(hào) H01L33/00(2010.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 秦海濱;張志成;郭強(qiáng);張彥偉 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 山西天能科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 太原高欣科創(chuàng)專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 山西天能科技股份有限公司;山西思科達(dá)科技有限公司
地址 030006 山西省太原市高新區(qū)總部大街12號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提高硅襯底上藍(lán)綠光LED出光效率的方法，屬于以Si作為襯底生長(zhǎng)GaN基LED的技術(shù)領(lǐng)域；所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能夠提高硅襯底上藍(lán)綠光LED出光效率的方法；采用的技術(shù)方案為：提高硅襯底上藍(lán)綠光LED出光效率的方法，按以下步驟進(jìn)行：第一步、用SiO2作為襯底的底層；第二步、用Si作為襯底的第二層；第三步：在Si層上生長(zhǎng)GaN層；本發(fā)明利用GaN、Si和SiO2這幾種不同材料的界面反射效應(yīng)，減少襯底材料對(duì)藍(lán)綠光的吸收，提高了LED的出光效率。