包括繞過物理層的硅通孔（TSV）的可配置隨機(jī)存取存儲器（RAM）陣列

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811073439.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110675903A 公開（公告）日 2020-01-10
申請公布號 CN110675903A 申請公布日 2020-01-10
分類號 G11C11/408（2006.01）; G11C11/409（2006.01）; H01L23/48（2006.01）; H01L27/108（2006.01）; H01L21/8242（2006.01） 分類 信息存儲;
發(fā)明人 李建文 申請（專利權(quán)）人 上海登臨科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海登臨科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)盛夏路570號901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種系統(tǒng)，包括：主邏輯電路，該主邏輯電路包括存儲器控制器，存儲器控制器包括信號控制電路和電耦合到信號控制電路的硅通孔(TSV)連接點(diǎn)；以及存儲器設(shè)備，存儲器設(shè)備包括存儲器單元，所述存儲器單元包括電耦合到所述主邏輯電路的TSV連接點(diǎn)的TSV，其中所述信號控制電路使用所述TSV傳輸信號以操作所述存儲器設(shè)備。