一種半導體光電倍增器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620870780.X 申請日 -
公開（公告）號 CN206134700U 公開（公告）日 2017-04-26
申請公布號 CN206134700U 申請公布日 2017-04-26
分類號 H01L31/107(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐青;楊健;王麟;李開富 申請（專利權(quán)）人 武漢京邦科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷大道58號紅桃K電商辦公室第二層189號（Y）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種半導體光電倍增器件，包括多個陣列式并聯(lián)分布的探測單元，所述探測單元由工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管、淬滅電阻和透明電容構(gòu)成；所述透明電容由兩個透明導電極板以及位于透明導電極板之間的透明介質(zhì)組成；所述透明電容位于雪崩光電二極管光敏面的正上方。本實用新型通過設置透明電容的方式來降低探測單元以及器件的整體電容，從而改善半導體光電倍增器的時間特性，這不僅可以提高半導體光電倍增器光電信號的轉(zhuǎn)換速度，也可以提高基于半導體光電倍增器的應用系統(tǒng)的符合時間分辨率。透明電容保證了較高的光透過率，位于探測單元光敏面正上方的透明電容并沒有使半導體光電探測器損失額外的探測面積，這保證了半導體光電倍增器較高的探測效率。