一種半導(dǎo)體光電倍增器件的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710198777.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106981542A 公開(kāi)（公告）日 2017-07-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN106981542A 申請(qǐng)公布日 2017-07-25
分類號(hào) H01L31/18;H01L27/10;H01L27/102;H01L27/144 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐青;楊健 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢京邦科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 436044 湖北省鄂州市梧桐湖新區(qū)鳳凰大道9號(hào)東湖高新科技創(chuàng)意城A03-301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及光電子和微電子制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于光子探測(cè)的半導(dǎo)體光電倍增器件的制造方法。本發(fā)明通過(guò)外延、淀積、刻蝕、介質(zhì)槽填充等工藝步驟，形成了一種具有透明電容結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體光電倍增器件，透明電容結(jié)構(gòu)位于器件的光敏區(qū)上方，在不降低器件填充因子的前提下保證了器件具有較高的光吸收率，同時(shí)降低了器件的整體電容。本發(fā)明的制造方法具有與CMOS工藝相兼容、工藝簡(jiǎn)單、成本低的優(yōu)點(diǎn)。由本發(fā)明所制造的半導(dǎo)體光電倍增器件，不僅具有較高的探測(cè)效率，而且具有較高的光電信號(hào)轉(zhuǎn)換速度，可以大大提高基于半導(dǎo)體光電倍增器的應(yīng)用系統(tǒng)的時(shí)間分辨率。