一種介質(zhì)層的沉積方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911110095.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110931422B 公開（公告）日 2021-12-21
申請公布號 CN110931422B 申請公布日 2021-12-21
分類號 H01L21/762（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王橋 申請（專利權(quán)）人 徐州順意半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華仁聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 國紅
地址 710061 陜西省西安市雁塔區(qū)長安南路農(nóng)林壹號小區(qū)1號樓1單元1901
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種一種介質(zhì)層的沉積方法，其包括通過可流動化學(xué)氣相沉積逐層沉積并退火形成介質(zhì)層，能夠?qū)崿F(xiàn)對于不同深寬比跨度的結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)行均勻填充，介質(zhì)層不產(chǎn)生孔洞，并且，介質(zhì)層具有較高的膜密度，能夠形成具有均勻介電常數(shù)的電介質(zhì)。