一種智能功率模塊及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911194908.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110931477B 公開（公告）日 2021-12-07
申請公布號 CN110931477B 申請公布日 2021-12-07
分類號 H01L25/16;H01L23/367;H01L21/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王橋 申請（專利權(quán)）人 徐州順意半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉松
地址 213000 江蘇省常州市局前街27號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種智能功率模塊及其制備方法，所述智能功率模塊包括包括在所述金屬基底的第一、第二表面分別形成多個第一凹槽以及多個第二凹槽，并形成多個貫穿所述金屬基底的穿孔，在每個所述第一、第二凹槽中均設(shè)置一功率元件，在所述穿孔內(nèi)形成導(dǎo)電通孔，接著在所述金屬基底的第二表面上形成第一散熱型絕緣介電層以及第一布線層，在所述金屬基底的第一表面上形成第一、第二、第三、第四隔熱層，在所述第四熱阻絕緣層上沉積形成第二布線層，在所述第二布線層上形成導(dǎo)電柱，并在所述第二布線層上設(shè)置多個控制元件，使得所述控制元件與所述功率元件電連接，所述導(dǎo)電柱高于所述控制元件，一模塑層暴露所述導(dǎo)電柱的頂面。