一種功率模塊及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911193258.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111106017B 公開(kāi)（公告）日 2021-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN111106017B 申請(qǐng)公布日 2021-06-18
分類號(hào) H01L21/52;H01L21/54;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/373;F16L59/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王橋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 徐州順意半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 呂連川
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道黃閣坑社區(qū)黃閣北路449號(hào)龍崗天安數(shù)碼創(chuàng)新園二號(hào)廠房B401-W
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種功率模塊及其制備方法，所述功率模塊包括：在所述第一金屬基底的上表面形成多個(gè)第一凹槽，在每個(gè)所述第一凹槽中均設(shè)置一第一功率元件，在所述第一金屬基底的上表面上形成第一、第二隔熱層，在所述第二隔熱層上形成第一布線層，在所述第一布線層上設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電柱以及多個(gè)控制元件，在第二金屬基底的上表面形成多個(gè)第二凹槽以及貫穿所述第二金屬基底的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在每個(gè)所述第二凹槽中均設(shè)置一第二功率元件，接著在所述第二金屬基底的上表面上形成第三、第四隔熱層，在所述第四隔熱層上形成第二布線層，所述第二金屬基底置于所述第一金屬基底上，一模塑層，所述模塑層完全包裹所述第一、第二金屬基底的上表面。