一種聚焦型線性陽極層離子源

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911066338.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110767522A 公開（公告）日 2020-02-07
申請公布號 CN110767522A 申請公布日 2020-02-07
分類號 H01J27/02;H01J27/14 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳偉;高生;何國軍 申請（專利權(quán)）人 無錫誠承電子科技有限公司
代理機構(gòu) 合肥中博知信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳棟杰
地址 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)錫梅路88號無錫環(huán)普萬聯(lián)國際產(chǎn)業(yè)園B號廠房一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于離子源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種聚焦型線性陽極層離子源，包括一具有長條狀安裝槽的殼體，所述安裝槽的槽腔中心處設(shè)有一豎向布置的磁體，所述磁體與安裝槽的槽壁之間設(shè)有陽極，所述安裝槽的槽口中心處設(shè)有內(nèi)陰極，所述內(nèi)陰極的兩側(cè)對稱布置有外陰極，所述外陰極與內(nèi)陰極的磁極靴之間形成陰極縫隙，且該內(nèi)陰極的最低面低于外陰極的最低面2?5mm；通過將內(nèi)陰極的最低面設(shè)置成低于外陰極的最低面，內(nèi)外陰極高度差所形成的磁場法線，控制噴射角度，形成聚焦效應(yīng)可以顯著的提高單位面積上的等離子體的數(shù)量，使得相同的功率下，該線性陽極層離子源能達到更較好的表面處理效果，或表面刻蝕，或薄膜表面輔助沉積的效果。