一種提高電子束熔煉多晶硅效率的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821674964.4 申請日 -
公開（公告）號 CN209161503U 公開（公告）日 2019-07-26
申請公布號 CN209161503U 申請公布日 2019-07-26
分類號 C01B33/037（2006.01）I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 唐子凡; 張磊; 龐大宇; 肖承祥; 張思源 申請（專利權(quán)）人 青島藍(lán)光晶科新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 青島藍(lán)光晶科新材料有限公司
地址 266000 山東省青島市即墨市藍(lán)色硅谷核心區(qū)創(chuàng)業(yè)中心一期-海創(chuàng)中心3號樓A座4-401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及太陽能級多晶硅制造領(lǐng)域，尤其涉及一種提高電子束熔煉多晶硅效率的裝置。本實(shí)用新型具有熔煉坩堝，熔煉坩堝的側(cè)壁和底板之間的連接角設(shè)有向內(nèi)的傾斜面，傾斜角度為45°?60°，降低熔煉過程中邊緣位置凝固層的厚度，增強(qiáng)電子束的熔煉效果。本實(shí)用新型在裝置使用時通過控制電子束熔煉多晶硅過程中不同階段的電子束掃描模式，來提高電子束熔煉多晶硅的效率，縮短生產(chǎn)時間，降低生產(chǎn)能耗，提高生產(chǎn)效率。