一種介質(zhì)熔煉后硅料高效提純的裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201821674963.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN209383396U | 公開（公告）日 | 2019-09-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN209383396U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-09-13 |
| 分類號(hào) | C01B33/037（2006.01）I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 肖承祥; 龐大宇; 郭校亮; 唐子凡; 侯雨新 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 青島藍(lán)光晶科新材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 青島藍(lán)光晶科新材料有限公司 |
| 地址 | 266000 山東省青島市即墨市藍(lán)色硅谷核心區(qū)創(chuàng)業(yè)中心一期-海創(chuàng)中心3號(hào)樓A座4-401 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能級(jí)多晶硅制造領(lǐng)域，尤其涉及一種介質(zhì)熔煉后硅料高效提純的裝置。本實(shí)用新型裝置的熔煉坩堝的結(jié)構(gòu)為由后端向?qū)б嚎趦A斜；熔煉坩堝內(nèi)具有若干間隔，每個(gè)間隔內(nèi)槽對(duì)應(yīng)一個(gè)熔煉槽，每個(gè)熔煉槽對(duì)應(yīng)一個(gè)導(dǎo)液口；且使用時(shí)電子束熔煉能量分布模式與熔煉坩堝的結(jié)構(gòu)相應(yīng)的為自后端向?qū)б嚎谥饾u減小。本實(shí)用新型使用時(shí)通過電子束熔煉能量分布模式的選擇，并選用多模熔煉坩堝結(jié)構(gòu)，用來去除介質(zhì)熔煉后硅料當(dāng)中的碳化硅及揮發(fā)性雜質(zhì)元素，成本低、效果好。 |
