一種去除多晶硅中碳、氮雜質的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810090948.9 申請日 -
公開（公告）號 CN108128779B 公開（公告）日 2020-05-19
申請公布號 CN108128779B 申請公布日 2020-05-19
分類號 C01B33/037 分類 無機化學;
發(fā)明人 石爽;李鵬廷;譚毅;姜大川;張磊 申請（專利權）人 青島藍光晶科新材料有限公司
代理機構 大連理工大學專利中心 代理人 青島藍光晶科新材料有限公司
地址 266200 山東省青島市即墨市藍色硅谷核心區(qū)創(chuàng)業(yè)中心一期海創(chuàng)中心3號樓A座4-401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于多晶硅熔煉技術領域，特別涉及一種去除多晶硅中碳、氮雜質的方法。本發(fā)明通過在電子束熔煉過程中，向原料中添加高純石英砂，構建氧化性的熔煉環(huán)境，使硅中溶解的碳、氮元素與氧結合形成易揮發(fā)的氧化性氣體，從而被去除。該方法制得的產(chǎn)品碳、氮雜質去除效果好，且具有成本低、提純效率高等特點。