一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710004519.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN106676486B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106676486B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-07 |
| 分類號(hào) | C30B29/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張磊;顧正;張曉峰;郭校亮;陳良杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 青島藍(lán)光晶科新材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 大連理工大學(xué)專利中心 | 代理人 | 梅洪玉 |
| 地址 | 262200山東省青島市即墨市藍(lán)色硅谷核心區(qū)創(chuàng)業(yè)中心一期海創(chuàng)中心3號(hào)樓A座4-401 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及硅靶材生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種超低阻硅靶材的生產(chǎn)方法。該方法采用經(jīng)過(guò)酸浸泡處理過(guò)的高硼含量母合金摻入，經(jīng)過(guò)高效鑄錠工藝進(jìn)行硅靶材生產(chǎn)。本發(fā)明可使硅靶材的電阻率小于0.01Ω·cm，最低可達(dá)到0.005Ω·cm，其尺寸范圍可以達(dá)到500mm×500mm，純度大于5.5N，致密度大于99％。?? |
