電子束熔煉去除硅中揮發(fā)性雜質(zhì)的裝置
申請?zhí)?/td> | CN201821682499.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN209383398U | 公開(公告)日 | 2019-09-13 |
申請公布號 | CN209383398U | 申請公布日 | 2019-09-13 |
分類號 | C01B33/037(2006.01)I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 孫雨萱; 郭校亮; 張磊; 張思源; 肖承祥 | 申請(專利權(quán))人 | 青島藍(lán)光晶科新材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 青島藍(lán)光晶科新材料有限公司 |
地址 | 266237 山東省青島市即墨市青島藍(lán)色硅谷核心區(qū)創(chuàng)業(yè)中心一期-海創(chuàng)中心3號樓A座4-401 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及一種電子束熔煉去除硅中揮發(fā)性雜質(zhì)的裝置,屬于硅的純化技術(shù)領(lǐng)域。本實用新型所述的裝置包括超聲波發(fā)生器,超聲波發(fā)生器設(shè)于水冷底座下方,水冷底座設(shè)有超聲傳動桿安裝孔,超聲波發(fā)生器的超聲傳動桿穿過超聲傳動桿安裝孔并與水冷坩堝相連。本實用新型公開了一種結(jié)構(gòu)簡單、緊湊且熔煉效率高的熔煉裝置。 |
