一種耐高溫抗中子輻照型聚酰亞胺復(fù)合薄膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610543787.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106189227B 公開（公告）日 2019-02-26
申請公布號 CN106189227B 申請公布日 2019-02-26
分類號 C08L79/08;C08K9/10;C08K3/38;C08K3/02;C08G73/10;C08J5/18 分類 有機(jī)高分子化合物；其制備或化學(xué)加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 李曉敏;梅軍;黃渝鴻;唐昶宇;袁萍;陳四龍;姚曾 申請（專利權(quán)）人 成都正威新材料研發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 四川力久律師事務(wù)所 代理人 王蕓;韓洋
地址 610200 四川省成都市雙流縣銀河路596號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種含硼聚酰亞胺，它含有0.001~50wt%的硼元素；所述的硼元素以：單質(zhì)硼、碳化硼、氮化硼中的一種或幾種的形式存在于聚酰亞胺薄膜中；所述的硼元素是含硼粉體，粉末均勻分散到聚酰亞胺當(dāng)中；所述的含硼粉體為微米級粉體、納米級粉體或微米納米級配型粉體。本發(fā)明還提供一種耐高溫抗中子輻照型含硼聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法。本發(fā)明通過對含硼功能粉體的表面改性、聚酰胺酸分子量控制、復(fù)合工藝控制及熱亞胺化工藝條件優(yōu)化等過程，制備出一系列耐高溫抗中子輻照的含硼聚酰亞胺復(fù)合薄膜。所制備的含硼聚酰亞胺復(fù)合薄膜具有較高的表面平整均一性，且耐折性優(yōu)良，表現(xiàn)出優(yōu)異的綜合性能。