電平轉(zhuǎn)換電路、集成電路芯片和電子設(shè)備
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810018184.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN108055033B | 公開(公告)日 | 2021-06-11 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN108055033B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-11 |
分類號(hào) | H03K19/0185;H03K19/017 | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 朱仁波;溫帶豪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海順久電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 林祥 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)華佗路68號(hào)創(chuàng)業(yè)源北區(qū)7幢2層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電平轉(zhuǎn)換電路、集成電路芯片和電子設(shè)備,電平轉(zhuǎn)換電路包括反相器單元、第一NMOS管和第二NMOS管,反相器單元包括電源輸入端,用于接收第一電壓;信號(hào)輸入端,用于接收邏輯高電平等于第一電壓的脈沖信號(hào);同相輸出端;反相輸出端;第一NMOS管的漏極用于接收第二電壓,柵極與同相輸出端連接;第二NMOS管的柵極與反相輸出端連接,源極接地;第一電壓與脈沖信號(hào)中邏輯低電平的電壓差值大于反相器單元中PMOS管的閾值電壓,第一電壓與第二電壓的差值大于第一NMOS管的閾值電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比,無(wú)論第二電壓多低,本申請(qǐng)?zhí)峁┑碾娖睫D(zhuǎn)換電路中的各MOS管均能夠快速導(dǎo)通,且電路能夠正常有效地工作。 |
