一種三態(tài)內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210029995.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114360605A | 公開（公告）日 | 2022-04-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114360605A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-15 |
| 分類號(hào) | G11C15/04（2006.01）I | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 陳彪;吳浩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州騰芯微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州曼博專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 宋俊華 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號(hào)創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園4-A405單元 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種三態(tài)內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器，包括與TCAM單元連接的匹配線，TCAM單元中設(shè)有比較單元；所述比較單元設(shè)有用于對(duì)匹配線放電的放電電路，該放電電路設(shè)有2級(jí)NMOS管；所述匹配線通過放電電路連接負(fù)壓電路；所述負(fù)壓電路包括：與放電電路連接的第一金屬線，以及與第一金屬線連接的負(fù)壓控制單元；所述負(fù)壓控制單元，其在匹配線求值過程中，將第一金屬線設(shè)置為負(fù)壓。本發(fā)明能在匹配線求值時(shí)，將第一金屬線下拉為負(fù)壓，第一金屬線下拉為負(fù)壓后，可增大放電電路中NMOS管的VGS電壓，從而可加大放電電流，可使匹配線放電速度變快，進(jìn)而使匹配線求值速度變快，提高搜索操作的效率，進(jìn)而提高三態(tài)內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器的工作頻率和性能。 |
