寫操作不需要位線輔助的SRAM單元讀寫操作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911362552.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111081298A 公開（公告）日 2020-04-28
申請公布號 CN111081298A 申請公布日 2020-04-28
分類號 G11C11/419 分類 信息存儲;
發(fā)明人 吳浩 申請（專利權(quán)）人 蘇州騰芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江陰義海知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 宋俊華
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園4-A405單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種寫操作不需要位線輔助的SRAM單元讀寫操作方法，對數(shù)據(jù)鎖存器寫0時(shí)，第一字線控制第一傳輸管導(dǎo)通，第二字線控制第二傳輸管關(guān)斷，第三字線控制第三傳輸管導(dǎo)通；對數(shù)據(jù)鎖存器寫1時(shí)，第一字線控制第一傳輸管關(guān)斷，第二字線控制第二傳輸管導(dǎo)通，第三字線控制第三傳輸管導(dǎo)通；讀取數(shù)據(jù)鎖存器中的數(shù)據(jù)時(shí)，第一字線控制第一傳輸管關(guān)斷，第二字線控制第二傳輸管關(guān)斷，第三字線控制第四傳輸管導(dǎo)通，且位線初始設(shè)置為高電平。本發(fā)明對數(shù)據(jù)鎖存器進(jìn)行寫操作時(shí)，可不需要位線的輔助。