具有電壓控制模塊的SRAM單元

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911362549.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110970072A 公開（公告）日 2020-04-07
申請公布號 CN110970072A 申請公布日 2020-04-07
分類號 G11C11/418;G11C11/419 分類 信息存儲;
發(fā)明人 吳浩 申請（專利權(quán)）人 蘇州騰芯微電子有限公司
代理機構(gòu) 江陰義海知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 宋俊華
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園4-A405單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有電壓控制模塊的SRAM單元，包括第一上拉PMOS管、第二上拉PMOS管、第一電源線、第二電源線、第一NMOS傳輸管、第二NMOS傳輸管、第一字線、第二字線、第一電壓控制模塊和第二電壓控制模塊；第一上拉PMOS管的源極與第一電源線連接，第二上拉PMOS管的源極與第二電源線連接；第一電源線通過第一電壓控制模塊與電源連接，第二電源線通過第二電壓控制模塊與電源連接。本發(fā)明在對數(shù)據(jù)鎖存器進行寫操作時，可降低一側(cè)上拉PMOS管的驅(qū)動能力，更利于寫操作的完成。