一種SRAM單元的讀寫(xiě)操作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911362551.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111091856A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-05-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111091856A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-05-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | G11C11/419;G11C11/412 | 分類(lèi) | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 吳浩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州騰芯微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江陰義海知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 宋俊華 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號(hào)創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園4-A405單元 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種SRAM單元的讀寫(xiě)操作方法，在對(duì)數(shù)據(jù)鎖存器進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，可降低一側(cè)上拉PMOS管的驅(qū)動(dòng)能力，更利于寫(xiě)操作的完成。 |
