嵌入式封裝的紅外接近及環(huán)境光亮度傳感器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022809972.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN213638377U 公開(kāi)(公告)日 2021-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN213638377U 申請(qǐng)公布日 2021-07-06
分類號(hào) H05K1/18;H05K1/02;H05K3/30;H01L25/16;G01J1/00;G01J5/00 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 姚玉峰 申請(qǐng)(專利權(quán))人 萊弗利科技(蘇州)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫華源專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 代理人 聶啟新
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州大道西9號(hào)蘇州國(guó)際財(cái)富廣場(chǎng)1幢2305室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了嵌入式封裝的紅外接近及環(huán)境光亮度傳感器,涉及傳感器封裝領(lǐng)域,包括:PCB基材、絕緣膠體、發(fā)射芯片、接收芯片、上層銅箔和下層銅箔,發(fā)射芯片和接收芯片間隔封裝在PCB基材中,發(fā)射芯片的下表面和接收芯片的下表面通過(guò)絕緣膠體安裝在下層銅箔上,PCB基材的上表面安裝有上層銅箔,傳感器開(kāi)設(shè)有通孔,上層銅箔在具有連接關(guān)系的兩個(gè)通孔的外圍刻蝕形成有一圈第一刻蝕槽,每圈第一刻蝕槽內(nèi)部的上層銅箔區(qū)域形成為連通第一刻蝕槽內(nèi)部的兩個(gè)通孔的上層連接線,通過(guò)將兩芯片安裝在PCB基材中,進(jìn)一步縮小了傳感器的體積,同時(shí)加工工藝與PCB加工工藝相兼容,生產(chǎn)效率高、加工簡(jiǎn)單、成本低。