一種P型半導體石墨烯的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810957102.0 申請日 -
公開（公告）號 CN108975319B 公開（公告）日 2018-12-11
申請公布號 CN108975319B 申請公布日 2018-12-11
分類號 C01B32/186(2017.01)I 分類 -
發(fā)明人 陳木成 申請（專利權）人 恒力（廈門）石墨烯科技產(chǎn)業(yè)集團有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 361003福建省廈門市中國（福建）自由貿(mào)易試驗區(qū)廈門片區(qū)翔云一路95號運通中心604B單元之五一八
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導體制備領域，公開了一種P型半導體石墨烯的制備方法，本發(fā)明使用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法制備P型半導體石墨烯，由以下步驟組成：將清洗干凈并烘干過的特定基底放在反應臺面上；將反應氣體和硼源與H2混合氣依次通入反應室，控制反應條件，即可獲得摻雜硼的P型半導體石墨烯。本發(fā)明使用MPCVD法制備P型半導體石墨烯，將硼源與部分氫氣混合通入反應艙室中，使得硼源在艙室中分布更加均勻，在石墨烯上摻雜的均一性更易控制，從而獲得更高品質(zhì)的P型半導體石墨烯，且工藝更加環(huán)保，可實現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)化應用。??