溝槽MOSFET和溝槽MOSFET的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811607412.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111384168A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-07-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111384168A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-07 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/78(2006.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 肖璇;葉俊;李杰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司 |
| 地址 | 214135江蘇省無(wú)錫市太湖國(guó)際科技園菱湖大道180號(hào)-22 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了溝槽MOSFET和溝槽MOSFET的制造方法，所述溝槽MOSFET包括外延層、多個(gè)溝槽和體區(qū)；外延層具有第一導(dǎo)電類(lèi)型；溝槽形成于所述外延層中，所述多個(gè)溝槽的至少兩個(gè)相連通；所述溝槽的內(nèi)部設(shè)置有柵結(jié)構(gòu)；體區(qū)具有第二導(dǎo)電類(lèi)型，設(shè)置在所述溝槽之間。發(fā)明的溝槽MOSFET的至少一溝槽與至少兩個(gè)溝槽相連通，體區(qū)設(shè)置在所述溝槽之間，使得體區(qū)鄰接于溝槽的表面積增大，可發(fā)生導(dǎo)電類(lèi)型反轉(zhuǎn)形成反型層的區(qū)域變大，增加了體區(qū)中形成反型層的密度，即增加了導(dǎo)電溝道的密度，降低了溝槽MOSFET的溝道電阻，從而降低了溝槽MOSFET的比導(dǎo)通電阻。?? |
