一種改善動(dòng)態(tài)特性的超結(jié)VDMOS器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | 2020100478358 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111244180B | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-06-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111244180B | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-05 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 任敏;郭喬;張新;李巍;梅佳明;劉洋;張雪幡;高巍;李澤宏;張波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 霍淑利 |
| 地址 | 611731四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種改善動(dòng)態(tài)特性的超結(jié)VDMOS器件，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的一種改善動(dòng)態(tài)特性的超結(jié)VDMOS器件，通過(guò)在輕摻雜第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體柱表面引入輕摻雜第二導(dǎo)電類型埋層，并在其上覆蓋高K介質(zhì)材料層和第二多晶硅電極，在不影響器件耐壓的前提下，使器件在低漏壓下具有較小的Cgd，在高漏壓下具有較大的Cgd，實(shí)現(xiàn)既能加快開(kāi)關(guān)時(shí)間，減小開(kāi)關(guān)功耗，又能減小開(kāi)關(guān)振蕩，緩解EMI，從而改善超結(jié)器件的動(dòng)態(tài)特性。?? |
