一種超結(jié)MOS器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110428258.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113224164A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113224164A 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任敏;李長澤;馬榮耀;張新;鄭芳;張雪璠;李澤宏;張波 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤華晶微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 敖歡
地址 611731四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種超結(jié)MOS器件，從下至上依次包括漏極金屬層、重?fù)诫s第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)、中等摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體緩沖層、輕摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體柱區(qū)、中等摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體JFET區(qū)、源極金屬層；本發(fā)明在超結(jié)VDMOS器件的基礎(chǔ)上，將部分漏極金屬層挖槽填充穿過中等摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體緩沖層與重?fù)诫s第一類導(dǎo)電類型島區(qū)接觸，重?fù)诫s第一類導(dǎo)電類型島區(qū)之間為輕摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體間隙區(qū)。反向恢復(fù)電流下降階段由于有空穴的注入，中等摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體緩沖層空穴下降速度減慢，反向恢復(fù)電流得以平滑衰減，從而降低反向恢復(fù)的硬度。