VDMOS晶體管及制作VDMOS晶體管的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710646818.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109326642B 公開（公告）日 2020-12-29
申請公布號 CN109326642B 申請公布日 2020-12-29
分類號 H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏峰 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤華晶微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 無錫華潤華晶微電子有限公司
地址 214135 江蘇省無錫市太湖國際科技園菱湖大道180號-22
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種VDMOS晶體管及其制作方法。其中，所述VDMOS晶體管包括襯底、形成在所述襯底上的第一外延層、形成在所述第一外延層上的第二外延層、形成在所述第二外延層上的柵、形成在所述第二外延層內(nèi)的第一源區(qū)與第二源區(qū)，以及形成在所述第二外延層內(nèi)的隔離槽結(jié)構(gòu)。所述第二外延層的摻雜濃度大于所述第一外延層的摻雜濃度，并且，所述第一、二外延層具有相同的導(dǎo)電類型。所述隔離槽結(jié)構(gòu)位于所述第一源區(qū)與第二源區(qū)之間并且位于所述柵的下方。本發(fā)明的VDMOS晶體管及其制作方法，既可降低VDMOS晶體管的導(dǎo)通電阻，也可維持其擊穿電壓。