結(jié)終端結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811557431.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111341832A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-06-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111341832A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-26 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 李巍;路鵬;張新;鐘圣榮;鄧小社 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司 |
| 地址 | 214135江蘇省無(wú)錫市太湖國(guó)際科技園菱湖大道180號(hào)-22 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N結(jié)終端結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述結(jié)終端結(jié)構(gòu)包括原胞區(qū)、位于所述原胞區(qū)外周的終端區(qū)以及位于所述終端區(qū)外周的截止區(qū)；所述結(jié)終端結(jié)構(gòu)包括：具有第一導(dǎo)電類型的襯底、形成于所述襯底之上的具有第一導(dǎo)電類型的外延層、形成于所述終端區(qū)的所述外延層中的環(huán)形槽及填充在所述環(huán)形槽中的氧化層、形成于所述終端區(qū)的所述外延層中的具有第二導(dǎo)電類型的場(chǎng)限環(huán)、形成于所述截止區(qū)的所述外延層中的具有第一導(dǎo)電類型的注入?yún)^(qū)、形成于所述原胞區(qū)的所述外延層中的具有第二導(dǎo)電類型的源區(qū)及形成于所述源區(qū)中的具有第一導(dǎo)電類型的體區(qū)。?? |
