具有氮化硅阻擋層的SGT器件及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110477496.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113224148A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113224148A 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李澤宏;莫家寧;王彤陽;葉俊;肖璇 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤華晶微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 敖歡
地址 611731四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種具有氮化硅阻擋層的SGT器件及制備方法，包括從下至上依次層疊設(shè)置的金屬化漏極、N+襯底、N?漂移區(qū)和金屬化源極；N?漂移區(qū)中具有溝槽柵結(jié)構(gòu)、P型摻雜區(qū)、P+重?fù)诫s區(qū)和N+重?fù)诫s區(qū)；溝槽柵結(jié)構(gòu)包括氧化層、控制柵電極、氮化硅阻擋層和屏蔽柵電極；當(dāng)器件正向?qū)〞r(shí)，控制柵電極接正電位，金屬化漏極接正電位，金屬化源極接零電位；當(dāng)器件反向阻斷時(shí)，控制柵電極和金屬化源極短接且接零電位，金屬化漏極接正電位；本發(fā)明具有較大的正向電流、較小的閾值電壓、較小的導(dǎo)通電阻等特性，并且有效解決了SGT擊穿電壓不穩(wěn)定的可靠性問題。