半導體激光器單片式宏通道熱沉

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520757400.7 申請日 -
公開（公告）號 CN205016831U 公開（公告）日 2016-02-03
申請公布號 CN205016831U 申請公布日 2016-02-03
分類號 H01S5/024(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔衛(wèi)軍 申請（專利權(quán)）人 北京弘光浩宇科技有限公司
代理機構(gòu) 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 北京弘光浩宇科技有限公司
地址 100096 北京市海淀區(qū)清河西三旗東路4幢平房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種半導體激光器單片式宏通道熱沉，包括熱沉主體，芯片安裝區(qū)位于熱沉主體的一端，水冷區(qū)位于靠近芯片安裝區(qū)的位置，還包括上下貫通熱沉主體的銷孔，且所述銷孔位于遠離芯片安裝區(qū)的一端。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該半導體激光器單片式宏通道熱沉結(jié)構(gòu)更加緊湊合理，且散熱效果也不會受到影響。