一種全方位成像的CsPbCl3球面紫外探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110808484.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113594370B 公開（公告）日 2022-05-31
申請公布號 CN113594370B 申請公布日 2022-05-31
分類號 H01L51/42（2006.01）I;H01L51/44（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I;C23C14/04（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/20（2006.01）I;C23C14/26（2006.01）I;C23C14/30（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖廣蘭;張?jiān)S寧;劉智勇;孫博;劉星月;葉海波 申請（專利權(quán)）人 深圳華中科技大學(xué)研究院
代理機(jī)構(gòu) 華中科技大學(xué)專利中心 代理人 -
地址 430074湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于微納制造與光電子器件領(lǐng)域，公開了一種全方位成像的CsPbCl3球面紫外探測器及其制備方法，該球面紫外探測器包括球形襯底、柔性基底、經(jīng)向金屬電極陣列、緯向金屬電極陣列及圖案化的CsPbCl3鈣鈦礦薄膜，通過所述圖案化的CsPbCl3鈣鈦礦薄膜陣列在球形襯底球面上的分布，并利用所述經(jīng)向金屬電極陣列與所述緯向金屬電極陣列，即可實(shí)現(xiàn)紫外探測的球面成像。本發(fā)明通過對器件結(jié)構(gòu)及制備工藝等進(jìn)行改進(jìn)，得到的球面紫外探測器可同時滿足全方位探測，大視場成像等優(yōu)點(diǎn)，極大地促進(jìn)了球面成像器件與光電子器件的發(fā)展與應(yīng)用。