半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201780044849.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109564956B 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN109564956B 申請公布日 2022-06-21
分類號 H01L33/00;H01L33/38;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/36;H01L33/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樸修益 申請（專利權(quán)）人 蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 蘇州錦尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 滕錦林
地址 215499 江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一個實施例公開一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間布置的有源層并且包括多個第一凹部和第二凹部，多個第一凹部被布置為通過穿透第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層直到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的部分區(qū)域，第二凹部被布置在多個第一凹部之間；多個第一電極，其被布置在多個第一凹部內(nèi)，并且與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層電連接；多個第二電極，其被電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及反射層，其被布置在第二凹部內(nèi)，其中多個第一凹部的面積和第二凹部的面積之和為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一方向中的最大面積的60％或更小，多個第一凹部的面積和第二凹部的面積是在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的下表面上形成的面積，并且第一方向垂直于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的厚度方向。