半導體器件和包括該半導體器件的半導體器件封裝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210379245.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114725267A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114725267A 申請公布日 2022-07-08
分類號 H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 成演準;姜基晩;金珉成;樸修益;李容京;李恩得;林顯修 申請（專利權）人 蘇州立琻半導體有限公司
代理機構 蘇州錦尚知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 215499江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 在一個實施例中公開了一種半導體器件和包括該半導體器件的半導體器件封裝。一種半導體器件，其包括：發(fā)光結構，包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、和設置在第一導電半導體層與第二導電半導體層之間的有源層；第一電極，電耦接到第一導電半導體層；第二電極，電耦接到第二導電半導體層；反射層，設置在第二電極上；以及覆蓋層，設置在反射層上并包括多個層，其中，覆蓋層包括設置在反射層上的第一層，并且第一層包括Ti；覆蓋層還包括中間層，設置在第一層上并包括多個層，中間層包括第一中間層，直接設置在第一層上并包括Ni，并且第一層與第一中間層的厚度比在1：1至3：1的范圍內。