半導(dǎo)體元件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201780041851.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109478586B 公開(kāi)（公告）日 2022-06-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN109478586B 申請(qǐng)公布日 2022-06-21
分類(lèi)號(hào) H01L33/40;H01L33/62;H01L33/58;H01L33/22;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/02 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 洪恩珠 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州錦尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 滕錦林
地址 215499 江蘇省蘇州市太倉(cāng)市常勝北路168號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件包括：襯底；以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被布置在襯底上，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、以及布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的光吸收層，并且光吸收層具有1.2至1.5的值作為其上表面的最大外周長(zhǎng)度相對(duì)于其上表面的最大面積的比率。