半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210379216.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114725264A 公開（公告）日 2022-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114725264A 申請(qǐng)公布日 2022-07-08
分類號(hào) H01L33/40（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 成演準(zhǔn);姜基晩;金珉成;樸修益;李容京;李恩得;林顯修 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州錦尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 215499江蘇省蘇州市太倉(cāng)市常勝北路168號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 在一個(gè)實(shí)施例中公開了一種半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件封裝。一種半導(dǎo)體器件，包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、和設(shè)置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層；第一電極，電耦接到所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及第二電極，電耦接到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；其中，所述第一電極包括第一層、第二層和第三層，所述第一層包括第一金屬層，所述第一金屬層包括第一金屬，并且所述第一金屬的擴(kuò)散系數(shù)大于所述第三層中包含的第三金屬的擴(kuò)散系數(shù)；所述第二層的厚度在所述第一金屬層的厚度的0.4至0.53倍的范圍內(nèi)。