一種點(diǎn)狀支撐的PVD子載板

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121334009.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN215251146U 公開(kāi)（公告）日 2021-12-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN215251146U 申請(qǐng)公布日 2021-12-21
分類號(hào) C23C14/50（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 林志華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建鉅能電力有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 351111福建省莆田市涵江區(qū)國(guó)歡東路655號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種點(diǎn)狀支撐的PVD子載板，其包含PVD子載板框、一圈寬度尺寸較窄的周長(zhǎng)全支撐圈和8個(gè)凸點(diǎn)支撐。所述寬度尺寸較窄的周長(zhǎng)全支撐圈和8個(gè)凸點(diǎn)支撐設(shè)置在PVD子載板框的內(nèi)邊框上；所述8個(gè)凸點(diǎn)支撐分散分布在寬度尺寸較窄的周長(zhǎng)全支撐圈上。周長(zhǎng)全支撐圈的寬度尺寸可減小到0.5mm以下并用8個(gè)凸點(diǎn)來(lái)支撐硅片，這樣既使正反面之間形成一道鍍膜空白區(qū)域作為絕緣屏障，以保證暗電流不會(huì)過(guò)高，保證了PVD鍍膜時(shí)不會(huì)產(chǎn)生繞鍍，同時(shí)減少了整體鍍膜面積的遮擋。因此，本實(shí)用新型提供的點(diǎn)狀支撐的PVD子載板很好的保證硅片平整地完成鍍膜，既能降低破片率又能有效地降低鍍膜后的暗電流不良。