基于無機(jī)半導(dǎo)體單晶網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的光或氣體探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210551134.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103048043B 公開（公告）日 2016-05-25
申請公布號 CN103048043B 申請公布日 2016-05-25
分類號 G01J1/42(2006.01)I;G01N27/12(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張孟;李豐;潘革波;馬慧軍 申請（專利權(quán)）人 蘇州錦富技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 蘇州錦富新材料股份有限公司;中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;蘇州錦富技術(shù)股份有限公司
地址 215126 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)勝浦分區(qū)民勝路39號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于無機(jī)半導(dǎo)體單晶網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的光或氣體探測器，所述的探測器包括：敏感元件層、源電極和漏電極，其特征在于：所述敏感元件層由無機(jī)半導(dǎo)體單晶網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)組成。和傳統(tǒng)的探測器中采用的薄膜或多晶網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的敏感元件相比，單晶網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)可以保證作為探測層的半導(dǎo)體材料擁有巨大的比表面積，增大了其與光或氣體作用位點(diǎn)；同時單晶網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)能夠顯著降低缺陷的數(shù)量，提高電子的輸運(yùn)特性。因此，利用本方法可以顯著提高探測器的靈敏度，縮短響應(yīng)時間，提高探測效率。