一種量子點光學(xué)補償膜及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011123364.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114388677A | 公開(公告)日 | 2022-04-22 |
申請公布號 | CN114388677A | 申請公布日 | 2022-04-22 |
分類號 | H01L33/50(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;C09K11/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 董曉楠;鄧徐俊;任樹銘;李陽 | 申請(專利權(quán))人 | 廣東普加福光電科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 廣州駿思知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 盧娟 |
地址 | 529000廣東省江門市江海區(qū)匯源街1號307-316室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種量子點光學(xué)補償膜及其制備方法,所述量子點光學(xué)補償膜包括柔性襯底以及浸漬沉積于所述柔性襯底上的雙層光子晶體自封裝量子點層;所述雙層光子晶體自封裝量子點層依次包括第一光子晶體沉積層、量子點噴淋層以及第二光子晶體沉積層。本發(fā)明所述量子點光學(xué)補償膜利用雙層光子晶體成膜實現(xiàn)對量子點的自封裝,自發(fā)構(gòu)筑封裝結(jié)構(gòu),保護效果好,有效隔絕水氧侵蝕,原材料簡單,無需光熱聚合,無需猝滅劑混合參與,有效確保量子點的光致穩(wěn)定性,發(fā)光強度高、光源利用率高且能夠改善輻照均勻度的優(yōu)點。所述的量子點光學(xué)補償膜的制備方法制備工藝簡單,生產(chǎn)周期短且成本較低,適用于農(nóng)業(yè)大規(guī)模應(yīng)用。 |
