一種降低芯片損傷率的吸嘴
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202023007666.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN213905336U | 公開(公告)日 | 2021-08-06 |
申請公布號 | CN213905336U | 申請公布日 | 2021-08-06 |
分類號 | H01L21/683;H01L21/66 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 鄧國發(fā);劉海波 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳廣盛浩科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京睿博行遠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 計小玲 |
地址 | 518031 廣東省深圳市福田區(qū)保稅區(qū)桃花路6號騰飛工業(yè)大廈B棟十一層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及LD芯片測試領(lǐng)域,具體為一種降低芯片損傷率的吸嘴,包括吸嘴頭,吸嘴頭頂部設(shè)置有氣管管座,氣管管座內(nèi)設(shè)置有管座孔,氣管管座一側(cè)設(shè)置有用于對吸嘴進行周向固定的側(cè)切面,吸嘴頭與氣管管座之間的連接部位設(shè)置有氣管限位臺階,吸嘴頭內(nèi)貫穿設(shè)置有延伸至管座孔內(nèi)的吸氣孔,吸嘴頭底部設(shè)置有平面,平面內(nèi)交叉設(shè)置有第一吸嘴凹槽和第二吸嘴凹槽。芯片在被吸附時從點接觸或線接觸變成面接觸,通過在吸嘴頭頭部平面上開設(shè)兩個呈九十度交叉的第一吸嘴凹槽和第二吸嘴凹槽,第一吸嘴凹槽和第二吸嘴凹槽的寬度和深度大于芯片上表面凸起部分的寬度和高度,有效避免了芯片在被吸附時造成的損傷。 |
