多晶硅的還原生產(chǎn)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810370079.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN110395735A | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-11-01 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110395735A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-11-01 |
分類號(hào) | C01B33/035(2006.01)I | 分類 | 無(wú)機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 齊林喜; 陳建宇; 郝愛(ài)科; 趙亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 巴彥淖爾聚光硅業(yè)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京迎碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張群峰;錢(qián)揚(yáng)保 |
地址 | 015543 內(nèi)蒙古自治區(qū)巴彥淖爾市烏拉特后旗青山工業(yè)園區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 多晶硅的還原生產(chǎn)方法,包括:提供還原爐;將多個(gè)硅芯棒安裝在還原爐中,控制爐內(nèi)有效單位體積內(nèi)硅芯生長(zhǎng)表面面積;向還原爐中通入氫氣和三氯氫硅混合氣體原料;控制還原爐內(nèi)溫度;在硅芯棒上生長(zhǎng)多晶硅體,控制爐內(nèi)有效單位體積內(nèi)最終長(zhǎng)成的多晶硅體表面積;停止通入混合氣體原料,并切換為通入氫氣,直至還原爐內(nèi)溫度降低至預(yù)定值。 |
