半導(dǎo)體材料的拋光方法、用于銻化鎵襯底拋光的拋光液
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011591853.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112701037A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112701037A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-23 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/306;C09G1/02 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳意橋;錢(qián)磊;周千學(xué) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州焜原光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京中濟(jì)緯天專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人 | 蘇芳玉 |
| 地址 | 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明是針對(duì)采用現(xiàn)有技術(shù)CMP工藝對(duì)銻化鎵等較軟的半導(dǎo)體材料拋光時(shí)拋光磨料、拋光液中含有的金屬離子等易附著在被拋光物的表面，使拋光物表面產(chǎn)生劃痕、拋光液的壽命低的不足，提供一種半導(dǎo)體材料的拋光方法、用于銻化鎵襯底拋光的拋光液，方法是對(duì)莫氏硬度為1.5?6的半導(dǎo)體材料進(jìn)行拋光,第一步為粗拋光，采用含有硬磨料的拋光液對(duì)半導(dǎo)體材料襯底片進(jìn)行機(jī)械拋光，第二步為中拋光，中拋光液包括軟拋光磨料、弱酸性氧化劑、有機(jī)酸、親水性非離子表面活性劑、去離子水；第三步為精拋光，精拋光液包括弱酸性氧化劑、有機(jī)酸和去離子水，采用本發(fā)明的拋光方法對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行拋光，消除蝕坑、劃痕，減少凹坑，得到表面粗糙度良好的材料。 |
