半導(dǎo)體材料的拋光方法、用于銻化鎵襯底拋光的拋光液

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011591853.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN112701037A 公開(kāi)(公告)日 2021-04-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN112701037A 申請(qǐng)公布日 2021-04-23
分類(lèi)號(hào) H01L21/306;C09G1/02 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳意橋;錢(qián)磊;周千學(xué) 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 蘇州焜原光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中濟(jì)緯天專(zhuān)利代理有限公司 代理人 蘇芳玉
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是針對(duì)采用現(xiàn)有技術(shù)CMP工藝對(duì)銻化鎵等較軟的半導(dǎo)體材料拋光時(shí)拋光磨料、拋光液中含有的金屬離子等易附著在被拋光物的表面,使拋光物表面產(chǎn)生劃痕、拋光液的壽命低的不足,提供一種半導(dǎo)體材料的拋光方法、用于銻化鎵襯底拋光的拋光液,方法是對(duì)莫氏硬度為1.5?6的半導(dǎo)體材料進(jìn)行拋光,第一步為粗拋光,采用含有硬磨料的拋光液對(duì)半導(dǎo)體材料襯底片進(jìn)行機(jī)械拋光,第二步為中拋光,中拋光液包括軟拋光磨料、弱酸性氧化劑、有機(jī)酸、親水性非離子表面活性劑、去離子水;第三步為精拋光,精拋光液包括弱酸性氧化劑、有機(jī)酸和去離子水,采用本發(fā)明的拋光方法對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行拋光,消除蝕坑、劃痕,減少凹坑,得到表面粗糙度良好的材料。