分子束外延系統(tǒng)中固定GaSb襯底的方法及樣品架
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011589006.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112593285A | 公開(公告)日 | 2021-04-02 |
申請公布號 | CN112593285A | 申請公布日 | 2021-04-02 |
分類號 | C30B25/12(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 陳意橋;王偉強;周浩 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州焜原光電有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京中濟緯天專利代理有限公司 | 代理人 | 于宏偉 |
地址 | 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術(shù)中固定GaSb襯底的方法存在的易使襯底軟化、襯底的溫度均勻性不易保證的不足,提供分子束外延系統(tǒng)中GaSb襯底的安裝固定方法及所用的樣品架,樣品架包括筒體、鉭片和壓緊固定裝置,筒體和壓緊固定裝置均為在超高真空下不揮發(fā),不放出氣體的材質(zhì),在筒體內(nèi)表面設(shè)置有支撐結(jié)構(gòu),鉭片設(shè)置在支撐結(jié)構(gòu)上,壓緊固定裝置位于鉭片上方將鉭片固定在筒體內(nèi),采用本發(fā)明方法固定GaSb襯底,先將Ga液涂在中間材料上,再通過中間材料將Ga液均勻涂在鉭片上,巧妙地解決了Ga液浸潤性較差、不易均勻的涂抹在鉭片與GaSb襯底之間的難題,將GaSb襯底均勻、穩(wěn)固的粘在了鉭片上,最終解決了GaSb襯底溫度均勻性問題,為實現(xiàn)高質(zhì)量Sb化物材料的生長提供了基礎(chǔ)。?? |
