分子束外延系統(tǒng)中固定GaSb襯底的方法及樣品架

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011589006.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112593285A 公開（公告）日 2021-04-02
申請公布號 CN112593285A 申請公布日 2021-04-02
分類號 C30B25/12(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳意橋;王偉強;周浩 申請（專利權(quán)）人 蘇州焜原光電有限公司
代理機構(gòu) 北京中濟緯天專利代理有限公司 代理人 于宏偉
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術(shù)中固定GaSb襯底的方法存在的易使襯底軟化、襯底的溫度均勻性不易保證的不足，提供分子束外延系統(tǒng)中GaSb襯底的安裝固定方法及所用的樣品架，樣品架包括筒體、鉭片和壓緊固定裝置，筒體和壓緊固定裝置均為在超高真空下不揮發(fā)，不放出氣體的材質(zhì)，在筒體內(nèi)表面設(shè)置有支撐結(jié)構(gòu)，鉭片設(shè)置在支撐結(jié)構(gòu)上，壓緊固定裝置位于鉭片上方將鉭片固定在筒體內(nèi)，采用本發(fā)明方法固定GaSb襯底，先將Ga液涂在中間材料上，再通過中間材料將Ga液均勻涂在鉭片上，巧妙地解決了Ga液浸潤性較差、不易均勻的涂抹在鉭片與GaSb襯底之間的難題，將GaSb襯底均勻、穩(wěn)固的粘在了鉭片上，最終解決了GaSb襯底溫度均勻性問題，為實現(xiàn)高質(zhì)量Sb化物材料的生長提供了基礎(chǔ)。??