數(shù)字合金、數(shù)字合金中波紅外探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011597283.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112713209A 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN112713209A 申請公布日 2021-04-27
分類號 H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/109;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳意橋;張國禎;陳超;周浩 申請（專利權(quán)）人 蘇州焜原光電有限公司
代理機構(gòu) 北京中濟緯天專利代理有限公司 代理人 于宏偉
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是針對現(xiàn)有勢壘型器件在吸收層和勢壘層存在一個較高的價帶帶階，使得空穴在運動過程中受到價帶勢壘的阻礙，使量子效率降低的不足，提供一種數(shù)字合金AlAsSb材料及數(shù)字合金中波紅外探測器，此數(shù)字合金在一層厚度為d1的AlSb材料上，生長一層厚度為d2的AlAsxSb1?x材料，形成厚度為d1+d2的AlAsySb1?y基本單元，d1+d2作為一個周期，重復(fù)生長n個周期，形成數(shù)字合金DA?AlAsySb1?y，其中，y為數(shù)字合金中整體平均As組分，x為基本單元的一層中的As的組分，采用本發(fā)明提供的數(shù)字合金、數(shù)字合金中波紅外探測器使空穴移動更加通暢，可以有效提高探測器的量子效率，并且對器件的暗電流沒有影響，使其更容易適應(yīng)于不同的吸收層。